溅射镀膜与真空蒸镀相比有以下几个特点：

（1）溅射镀膜是依靠动量交换作用使固体材料的原子、分子进入气相，溅射出的粒子平均能量约为10eV，高于真空蒸发粒子的100 倍左右，沉积在基底表面上之后，尚有足够的能量在基底表面上迁移，因而膜层质量较好，与基底结合牢固。

（2）任何材料都能溅射镀膜，材料溅射特性差别不如其蒸发特性的差别大，高熔点材料也容易进行溅射，对于合金、化合物材料易制成与靶材组分比例相同的薄膜，因而溅射镀膜应用非常广泛。

（3）溅射镀膜中的入射离子一般利用气体放电法得到，因而其工作压力在10-2~10Pa范围，所以溅射粒子在飞行到基底前往往已与真空室内的气体分子发生过碰撞，其运动方向随机偏离原来的方向，而且溅射一般是从较大靶表面积中射出的，因而比真空蒸镀容易得到均匀厚度的膜层，对于具有沟槽、台阶等镀件，能将阴影效应造成膜厚差别减小到可忽略的程度。但是，较高压力下溅射会使薄膜中含有较多的气体分子。

（4）溅射镀膜除磁控溅射外，一般沉积速率都较低，设备比真空蒸镀复杂，价格较高，但是操作简单，工艺重复性好，易实现工艺控制自动化。溅射镀膜比较适宜大规模集成电路、磁盘、光盘等高新技术产品的连续生产，也适宜于大面积高质量镀膜玻璃等产品的连续生产。